碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm.k。

它與硅半導體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。

其優(yōu)點是：

（1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。

（2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。

（3）碳化硅有高的熱導率，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。

（4）碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.

（5）碳化硅具有很高的抗輻照能力。

（6）碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。

（7）碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻（》20KHz）。

（8）碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。