二極管符號及定義（第 3 部分）

在二極管領(lǐng)域，準確理解各種符號及其定義至關(guān)重要。這些符號是電子工程師、科研人員以及電子愛好者進行溝通和交流的重要語言。這是第三部分為您介紹一系列關(guān)鍵的二極管符號及其對應(yīng)的中英文定義。

符號：Tjm,T(vj)m

英文定義：Maximum Junction Temperature

中文定義：最大允許結(jié)溫

符號：TRIAC

英文定義：Triode for Alternating Current

中文定義：三端雙向可控硅

符號：Trr

英文定義：Reverse Recovery Time of a Diode

中文定義：二極管的反向恢復(fù)時間

符號：VDRM

英文定義：Maximum Repetitive Forward Blocking Voltage

of Thyristor

中文定義：晶閘管正向最大重復(fù)阻斷峰值電壓

符號：(B)VDSS

英文定義：Drain-source Break-down Voltage

中文定義：漏源阻斷電壓

符號：VF

英文定義：Forward Voltage Drop of Diode

中文定義：二極管正向壓降

符號：VGS(th)

英文定義：Gate Threshold Voltage

中文定義：門極閾值電壓

符號：VGT

英文定義：Gate Trigger Voltage

中文定義：門極觸發(fā)電壓

符號：VR

英文定義：Reverse Voltage

中文定義：反向電壓

符號：

VRRM

英文定義：Maximum Peak Reverse Voltage of Thyristor or Diode

中文定義：晶閘管或二極管反向最大峰值電壓

符號：VTM(FM)

英文定義：Peak On-state Voltage Drop of Thyristor or Diode

中文定義：晶閘管或二極管通態(tài)峰值壓降

符號：VSD

英文定義：Drain-Source Diode Forward Voltage Drop

中文定義：漏源極二極管正向壓降

符號：

VT0

英文定義：Threshold Voltage of Thyristors or Diodes (for Power Loss Calculation only)

中文定義：晶閘管或二極管閾值電壓（僅用于計算功耗損失）

通過對本部分二極管符號及定義的了解，我們對二極管相關(guān)概念有了更深入的認識。這些知識是進一步學習和研究二極管技術(shù)的基礎(chǔ)，對于設(shè)計和開發(fā)電子電路具有重要意義。隨著二極管技術(shù)的不斷發(fā)展，新的符號和定義也會不斷涌現(xiàn)，持續(xù)關(guān)注這些內(nèi)容有助于我們緊跟行業(yè)的步伐。